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Borrar información produce calor

Landauer, borrar información produce calor Estamos acostumbrados al calor residual producido por los cables eléctricos y frenos de automóviles. No tan conocido es el calor generado por el borrado de una memoria digital. Ahora un experimento inspirado por un «demonio metafórico» ha medido el calor fundamental, que algún día impondrá un límite a la potencia de los ordenadores.

El demonio de Maxwell, nombrado así desde el siglo 19 por el físico James Clerk Maxwell, es un enigma que parece romper una ley básica de la física mediante la creación de una máquina de movimiento perpetuo. Maxwell razonó que su demonio podía controlar una puerta que divide una caja de moléculas de gas, unas con  movimiento rápido y otras lento. Al abrir la puerta en los momentos oportunos, el demonio podría llenar uno de los lados de la caja con gas caliente y el otro con el frío, creando una diferencia de temperatura. Esa diferencia podría conducir a un motor, que produce trabajo útil sin que parezca que gasta energía suficiente.

En 1961, Rolf Landauer (1927-1999) propuso que la clave del enigma era la memoria del demonio. A medida que la criatura recoge información sobre el movimiento de las moléculas, se debe borrar la memoria anterior. Landauer sugirió que el proceso de borrado disipa el calor. Este calor gastado podría equilibrar el trabajo útil obtenido por el demonio, y asegurarse de que, de hecho, no se obtiene algo por nada.

No todo el mundo estuvo de acuerdo con esta explicación. Ahora Eric Lutz, de la Universidad de Augsburg, en Alemania y sus colegas han demostrado que realmente existe una mínima cantidad de calor producido por bit de datos borrados. Este límite llamado de Landauer es prueba de que el demonio no recibe «comida» gratis. «Estamos exorcizando al demonio», dice Lutz.

En vez de campana, libro y vela, los «exorcistas» utiliza un láser que puede establecer la posición de una pequeña cuenta de vidrio. El láser se enfoca para dar lugar a dos posiciones estables, izquierda y derecha o 0 y 1.  Resultante que un bit de memoria puede almacenar un 0 o 1, pero las memorias son siempre borradas por reposición a 0. El equipo encontró que el calor generado por el borrado  no es menor que el límite de Landauer (Nature, DOI: 10.1038/nature10872).

Esto tiene profundas implicaciones para la industria del microchip, dice Lutz. En este momento, los chips producen calor alrededor de 1000 veces más por bit que el límite, debido a la resistencia en sus cables. Los fabricantes de chips están trabajando en esto, pero llegará un punto en el que no se puede reducir más. «La tecnología basada en silicio se prevé alcanzará el límite de Landauer en 20 a 30 años», dice Lutz. A continuación, la capacidad de exprimir cada vez más los bits en un chip dependerá de encontrar mejores maneras de que se enfríen.

Hasta ahora resultaba muy difícil validar el principio del físico de IBM  por la dificultad de realizar experimentos con una sola partícula y medir la baja disipación de calor. De hecho, la energía que genera el borrado de un bit de información ha resultado ser de tan solo unos 3×10-21 julios a temperatura ambiente.

Los resultados del estudio también demuestran la “íntima conexión” –según señala el artículo– entre la teoría de la información y la termodinámica, dos ámbitos que ya relacionaba Landauer en sus propuestas.

Fuente: NewScientist

Fujitsu presenta nuevas memorias ferroeléctricas

Actualidad Informática. Nuevas memorias ferroeléctricas de Fujitsu. Rafael Barzanallana
Fujitsu Semiconductor América (FSA) ha ampliado su cartera cada vez mayor de productos de memoria ferroeléctricas con la introducción de un nueva  serie de memorias ferroeléctricas de acceso aleatorio (FRAM), producto que cuenta con un amplio rango de voltaje de 3.0V a 5.5V, y que ofrece importante flexibilidad de diseño  para los consumidores y aplicaciones industriales.

La nueva serie V incluye productos que van desde 16 kbit a 256 kbit, que abarca tanto las interfaces I2C y SPI. Los dos primeros miembros de la serie, el MB85RC16V y MB85RC64V, están disponibles en cantidades de producción. Los dispositivos se caracterizan por interfaces I2C en serie a una frecuencia de operación de 400 kHz, que cubre las densidades de 16 kbit y 64 kbit, respectivamente. Los productos de la serie V ofrecen una gran fiabilidad, con 10 años de retención de datosa 85 ?, así como una autonomía de 1 billón (1012) de lectura / escritura de ciclos. Los productos tienen una garantía de funcionamiento en el rango de temperatura de -40 ° C a +85 ° C.

«Las serie V FRAMs dar cabida a la gama común CMOS de voltaje de 3.3V a 5V, al tiempo que permite la tolerancia de ± 10% variación de la tensión «, dijo Tong Cisne Pang, director senior de marketing de Fujitsu Semiconductor América. «El amplio rango de tensión de esta nueva serie permite a los diseñadores de sistemas consolidar sus diseños en torno a una sola FRAM para múltiples plataformas. La flexibilidad de la serie V mejora la eficiencia logística y operativa, mientras que incrementa los costes de los componentes hacia abajo. »

Fujitsu planea el lanzamiento a mediados de año de un tercer dispositivo, el MB85RS64V, un FRAM 64 kbit con una interfaz SPI. Otros dispositivos que incorporan 256 Kbit con interfaces I2C o SPI también estará disponible en 2012. Todos los productos de esta serie están disponibles en los populares paquetes de 8 pines SOP de plástico, que son compatibles con la mayoría de las memorias EEPROM.

Amplia variedad de FRAMs Disponible de Fujitsu

Aparte de la serie V, Fujitsu ofrece una amplia variedad de dispositivos de FRAM de baja tensión de funcionamiento entre 2,7 y 3,0 V, que están equipadas con I2C, SPI o interfaces paralelas. Los niveles de densidad puede variar en cada 16kbit de 4 Mbits.

FRAM es la nueva generación de memoria no volátil que supera a las EEPROM y Flash, consume menos energía, y ofrece una mayor velocidad y resistencia prácticamente ilimitado a múltiples lecturas y escrituras. FRAM no es volátil, pero opera en otros aspectos como la memoria RAM. FRAM se ha convertido en una excelente alternativa en la memoria EEPROM en muchas aplicaciones, especialmente aquellas con las funciones frecuentes de los datos de registro y bajo consumo de energía, donde es esencial para prevenir cualquier pérdida de datos, incluso en el caso de un corte de energía repentino.

Fujitsu ha  producido masivamente  FRAM por más de 10 años con un historial comprobado de alta fiabilidad. Este medio de almacenamiento de avance se utiliza en una variedad de aplicaciones, incluyendo las tarjetas inteligentes, RFID, circuitos integrados de seguridad y muchas otras aplicaciones que requieren alto rendimiento de la memoria no volátil.

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