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Samsung presenta el «Barristor», su transistor con grafeno

Actualidad Informática. Samsung presenta el

Uno de los postulados más conocidos en el mundo de la electrónica es la Ley de Moore (no se trata de una ley de la naturaleza, sino una tendencia), cuyo enunciado fue realizado por Gordon Moore (uno de los fundadores de Intel) en 1965 en el que venía a decir que cada dos años se duplicaría el número de transistores que se insertarían en los circuitos integrados, algo que se ha seguido cumpliendo prácticamente hasta ahora. La miniaturización, es decir, la realización de transistores más pequeños, ha permitido aumentar la capacidad de proceso de los circuitos integrados, sin embargo, la miniaturización comenzaba a ser un problema hoy en día con tamaños que hacen aflorar inestabilidades en el silicio.

Una de las soluciones que más se barajan en el campo de la microelectrónica es el uso de nuevos materiales que puedan complementar al silicio para poder traspasar esta barrera, por ejemplo el grafeno. Parece que el Instituto de Electrónica Avanzada de Samsung va a ser uno de los primeros en alcanzar este objetivo con el Barristor, un transistor con grafeno que han presentado en la revista Science.

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