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IBM desarrolla un transistor de grafeno que trabaja hasta a 155 MHz

En un informe publicado en la revista Nature, Yu-ming Lin y Avoris Fedón, investigadores de IBM, han anunciado el desarrollo de un transistor de grafeno que es más pequeño y más rápido que el que presentó IBM en febrero de 2010. Este nuevo transistor puede operar a una frecuencia  de 155 GHz, en comparación con los 100 GHz del transistor anterior.

El grafeno es una lámina plana de carbono con un átomo de espesor y tiene la capacidad de conducir los electrones a velocidades extremadamente rápidas. Puede servir para reemplazar el silicio en la electrónica tradicional.

Se han elaborado previamente dispositivos de grafeno  mediante la colocación de una lámina de grafeno sobre un sustrato aislante, como el dióxido de silicio. Sin embargo, este sustrato puede degradar las propiedades electrónicas  del grafeno. Sin embargo, el equipo de investigadores ha encontrado una solución para minimizar esto.

Una lámina de carbono tipo diamante se coloca como la capa superior del substrato en una oblea de silicio. El carbono es dieléctrico no polar  y no atrapa o dispersa cargas  como el dióxido de silicio. Este nuevo transistor de grafeno, debido al carbono tipo diamante, muestra una excelente estabilidad frente los cambios de temperatura, incluso a temperaturas extremadamente bajas, como que en el espacio.

Estos nuevos transistores de alta frecuencia están en la mira de  aplicaciones, principalmente en las comunicaciones, como teléfonos móviles, internet, y radar.

La fabricación de estos nuevos transistores de grafeno se puede lograr utilizando las tecnologías ya existentes para los dispositivos de silicio estándares, lo que significa que la producción comercial de estos transistores pueden comenzar en cualquier momento.

El desarrollo del transistor fue parte de un proyecto de investigación que IBM está realizando para el Departamento de Defensa de EE.UU. del programa DARPA (Defense Advanced Research Projects Agency) . El Ejército está buscando a esta investigación para ayudar en el desarrollo de transistores de alto rendimiento a radiofrecuencias.

Ampliar información en:  Nature

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