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Grafino mejor que grafeno
Superfuerte y buen conductor el grafeno es el material más de moda en la física, pero nuevas simulaciones informáticas sugieren que los materiales llamados grafinos podrían ser igual de impresionantes. Grafinos son hojas de un átomo de espesor de carbono que se asemejan a grafeno, salvo en el tipo de enlaces atómicos. Hasta ahora sólo pequeños trozos de grafino se han fabricado, pero las nuevas simulaciones, que se describen en la revista Physical Review Letters, pueden inspirar nuevos esfuerzos para la construcción de grandes muestras. Los autores muestran que tres grafinos diferentes tienen una estructura electrónica semejante al grafeno. La simetría única en uno de estos grafinos potencialmente puede dar lugar a nuevos usos en dispositivos electrónicos, más allá de los del grafeno.
El grafino difiere de su primo de carbono el grafeno, que su marco 2D contiene enlaces triples, además de los dobles enlaces. Estos enlaces triples abren un conjunto potencialmente infinito de geometrías diferentes más allá de la red hexagonal perfecta del grafeno, aunque sólo se han sintetizado pequeños trozos de grafino, hasta el momento. Sin embargo, esto no ha impedido a los teóricos la exploración de sus propiedades. Un trabajo reciente dio un indicio de que podrían tener ciertos grafinos conos de Dirac. Para comprobar esto, Andreas Görling de la Universidad de Erlangen-Nuremberg en Alemania y sus colegas han realizado una investigación más rigurosa del grafino.
En un examen más detallado del grafino rectangular simétrico, el equipo descubrió que los conos de Dirac no eran perfectamente cónicos. Un corte vertical en la dirección del «lado corto» de la red rectangular dio un triángulo invertido como cabría esperar, pero en la dirección perpendicular, paralela a la «cara larga», la sección transversal estaba curvada, como un triángulo doblado hacia una parábola. Esta distorsión debe conducir a una conductancia que depende de la dirección de la corriente, una característica que no se encuentra en el grafeno pero que podría ser explotada en dispositivos electrónicos a nanoescala, afirma Görling. Otra propiedad potencialmente útil de este grafino es que, naturalmente, debe contener electrones de conducción y no debería requerir «dopantes», átomos que se añaden como fuente de electrones, como se requiere para el grafeno.
Amplar en: Next Big Future
Un transistor de nanotubos de carbono puede ser arrugado como un trozo de papel
Gracias a las propiedades flexibles y robustas de los nanotubos de carbono, investigadores han fabricado transistores que se pueden enrollar, plegar y estirarse. Ahora, un equipo de Japón ha hecho un transistor de nanotubos de carbono que puede ser arrugado como un trozo de papel, sin degradación de sus propiedades eléctricas. El nuevo transistor es el más flexible que no experimenta pérdida de rendimiento.
Los investigadores, Shinya Aikawa y coautores de la Universidad de Tokio y la Universidad de Ciencias de Tokio (Japón) han publicado su estudio en una reciente edición de Applied Physics Letters.
«Lo más importante es que la electrónica actual podría ser útil en lugares o situaciones que antes no era posible», dijo el coautor Shigeo Maruyama, un profesor de ingeniería mecánica en la Universidad de Tokio, a PhysOrg.com. «Nuestro dispositivo es tan flexible y deformable, que podría ser pegado en cualquier lugar. Esto podría conducir a dispositivos electrónicos activos que se aplican como un adhesivo o un vendaje adhesivo, así como a la electrónica de portátiles «.
A diferencia de otros transitores de efecto de campo (FET), el nuevo FET es único en que todos los canales y los electrodos están hechos de nanotubos de carbono (CNT), mientras que el sustrato está hecho de de polialcohol vinílico (PVA) altamente flexible y transparente. Anteriormente, la mayoría de los FETs flexible, transparentse han utilizado oro u óxido de indio y estaño como electrodos. Sin embargo, el oro disminuye la transparencia de los dispositivos mientras que el óxido de indio y estaño es frágil y limita la flexibilidad. FET recientes han sido compuestos enteramente por nanotubos de carbono, pero hasta ahora estos dispositivos se han construido en substratos de plástico gruesos, lo que limita su flexibilidad.
Después de modelar los componentes del dispositivo utilizando fotolitografía estándar y laminando con el PVA, el espesor final del nuevo CNT-FET fue de aproximadamente 15 micras. Este hecho de delgadez del dispositivo altamente flexible, se ha verificado con pruebas que muestran que el transistor terminado podría soportar un radio de curvatura de un mm con casi ningún cambio en las propiedades eléctricas. Aunque otros transistores flexibles se han desarrollado con radios tan bajos como 0,1 mm, el nuevo transistor es el más flexible que no experimenta una degradación del rendimiento.
Después de someter el transistor a 100 ciclos de arrugado, los investigadores observaron una ligera disminución en la corriente de fuga máxima, que puede ser debido a algunas conexiones de trazos en la red CNT. Sin embargo, la disminución mínima en corriente de drenaje máxima, lo que se estabiliza después de aproximadamente 30 ciclos, no afecta a la transconductancia global, que no fue afectada por la flexión repetida.
Ampliar en: Shinya Aikawa, et al. “Deformable transparent all-carbon-nanotube transistors.” Applied Physics Letters 100, 063502 (2012). DOI: 10.1063/1.3683517
Fujitsu presenta nuevas memorias ferroeléctricas
Fujitsu Semiconductor América (FSA) ha ampliado su cartera cada vez mayor de productos de memoria ferroeléctricas con la introducción de un nueva serie de memorias ferroeléctricas de acceso aleatorio (FRAM), producto que cuenta con un amplio rango de voltaje de 3.0V a 5.5V, y que ofrece importante flexibilidad de diseño para los consumidores y aplicaciones industriales.
La nueva serie V incluye productos que van desde 16 kbit a 256 kbit, que abarca tanto las interfaces I2C y SPI. Los dos primeros miembros de la serie, el MB85RC16V y MB85RC64V, están disponibles en cantidades de producción. Los dispositivos se caracterizan por interfaces I2C en serie a una frecuencia de operación de 400 kHz, que cubre las densidades de 16 kbit y 64 kbit, respectivamente. Los productos de la serie V ofrecen una gran fiabilidad, con 10 años de retención de datosde retención de datosa 85 ?, así como una autonomía de 1 billón (1012) de lectura / escritura de ciclos. Los productos tienen una garantía de funcionamiento en el rango de temperatura de -40 ° C a +85 ° C.
«Las Fujitsu serie V FRAMs dar cabida a la gama común CMOS de voltaje de 3.3V a 5V, al tiempo que permite la tolerancia de ± 10% variación de la tensión «, dijo Tong Cisne Pang, director senior de marketing de Fujitsu Semiconductor América. «El amplio rango de tensión de esta nueva serie permite a los diseñadores de sistemas consolidar sus diseños en torno a una sola FRAM para múltiples plataformas. La flexibilidad de la serie V mejora la eficiencia logística y operativa, mientras que incrementa los costes de los componentes hacia abajo. »
Fujitsu planea el lanzamiento a mediados de año de un tercer dispositivo, el MB85RS64V, un FRAM 64 kbit con una interfaz SPI. Otros dispositivos que incorporan 256 Kbit con interfaces I2C o SPI también estará disponible en 2012. Todos los productos de esta serie están disponibles en los populares paquetes de 8 pines SOP de plástico, que son compatibles con la mayoría de las memorias EEPROM.
Amplia variedad de FRAMs Disponible de Fujitsu
Aparte de la serie V, Fujitsu ofrece una amplia variedad de dispositivos de FRAM de baja tensión de funcionamiento entre 2,7 y 3,0 V, que están equipadas con I2C, SPI o interfaces paralelas. Los niveles de densidad puede variar en cada 16kbit de 4 Mbits.
FRAM es la nueva generación de memoria no volátil que supera a las EEPROM y Flash, consume menos energía, y ofrece una mayor velocidad y resistencia prácticamente ilimitado a múltiples lecturas y escrituras. FRAM no es volátil, pero opera en otros aspectos como la memoria RAM. FRAM se ha convertido en una excelente alternativa en la memoria EEPROM en muchas aplicaciones, especialmente aquellas con las funciones frecuentes de los datos de registro y bajo consumo de energía, donde es esencial para prevenir cualquier pérdida de datos, incluso en el caso de un corte de energía repentino.
Fujitsu ha producido masivamente FRAM por más de 10 años con un historial comprobado de alta fiabilidad. Este medio de almacenamiento de avance se utiliza en una variedad de aplicaciones, incluyendo las tarjetas inteligentes, RFID, circuitos integrados de seguridad y muchas otras aplicaciones que requieren alto rendimiento de la memoria no volátil.
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